Работа для студентовЗаработай на своих файлах!
Четверг, 26.04.2018, 22:03 Вы вошли как Гость | Группа "Гости"
Главная | Материалы кафедры ЭиОФ | Мой профиль | Выход | RSS

Факультет Математики, Физики и ИТ КалмГУ
Лаборатория Кормильцева И.В. 
Studio of web-design and IT "KIV&K" Будь в тренде-создай свой сайт Б Е С П Л А Т Н О


Меню сайта
Статистика

Онлайн всего: 1
Гостей: 1
Пользователей: 0
WMmail.ru - сервис почтовых рассылок

Научные приоритеты кафедры в области оптической и фотоэлектрической спектроскопии полупроводников, включая экситонную спектроскопию поверхности и приповерхностного слоя полупроводника.  В КалмГУ создана учебно-научная лаборатория по исследованию оптических и фотоэлектрических свойств полупроводниковых материалов.

Основные научные результаты:

1.   Исследованы механизмы взаимодействия экситонов с поверхностью и приповерхностной областью полупроводника. Показано, что основным механизмом возмущения экситонного состояния у «реальной» поверхности полупроводника является его взаимодействие с неоднородным электрическим полем приповерхностного слоя пространственного заряда.

2.   Впервые экспериментально обнаружены и детально исследованы эффекты локализации экситонов у поверхности полупроводника, обусловленные «дефектностью» его приповерхностного слоя.

3.   Исследованы механизмы формирования тонкой (экситонной) структуры в спектрах непрерывного и модулированного возбуждения  фотопроводимости прямозонных полупроводников. Впервые получено прямое доказательство влияния приповерхностного изгиба энергетических зон на тонкую структуру. Предложена модель явления, учитывающая зависимость скорости поверхностной рекомбинации неравновесных носителей от поверхностного электростатического потенциала полупроводника.

4.   Впервые обнаружен и детально исследован «аномальный» спектральный фоторезистивный эффект поля, обусловленный экранированием электрон-дырочного взаимодействия.

5.   Впервые экспериментально обнаружен эффект поверхностного рассеяния неравновесных носителей в спектре фотопроводимости прямозонного полупроводника.

6.   Установлена важная роль мелких (водородоподобных) центров в формировании спектров краевой фотопроводимости полупроводника. Впервые показано, что мелкие акцепторные состояния могут определять структуру спектра фотопроводимости и фоточувствительность полупроводника не только в примесной области спектра, но также и в области экситонных и межзонных переходов.

Полученные результаты имеют важное значение для понимания механизмов формирования в полупроводниках несобственных переходных экситонных слоев и учета их в теории экситонов. Они являются существенным развитием экситонной спектроскопии полупроводников - нового раздела кристаллооптики, обладающего большими прикладными возможностями.

Статьи  и тезисы докладов в сборниках научных трудов и материалов научных конференций:

1.   Батырев А.С.и др., Локализация экситонову поверхности полупроводников, Письма вЖЭТФ, т. 39, вып. 9, 1984, с. 436-438.

2.   Batyrev A.S. et al. Localizatbn of excitons in space charge layers, Phys. Status Solidi (b), 1986,   V.135, p.p. 597-604.

3.   Батырев А.С. и др., Спектры связанных экситонов и радиационная стойкость кристаллов CdSn CdSe. ФТТ, 1992, т. 34, № 6, с. 1770-1777.

4.   Батырев А.С. и др., Влияние приповерхностного слоя на экситонные спектры наклонного отражения света кристаллов CdSe, ФТТ, 1993 т.35, № 11, с. 3099 - 3103.

5.   Батырев А.С. и др., Локализация экситонов потенциальной ямой, формируемой твердым раствором в приповерхностной области полупроводника, Письма в ЖЭТФ, 1995, вып.5, с. 397 - 402.

6.   Батырев А.С. и др., Формирование спектров экситонного отражения света кристаллов CdSe, подвергнутых облучению низкоэнергетическими электронами, Письма в ЖЭТФ, 1995, т.61, вып.10, с. 791 - 795.

7.   Батырев А.С. и др. Особенности контуров экситонного отражения света кристаллов GaAs, ФТТ 1997, т. 39, № 4, с.610-612.

8.   Батырев А.С. и др., Спектральный фоторезистивныи эффект поля в кристаллах CdSnpn низких температурах, ФТТ, 2003г., т.45, вып. 11, с. 1961 - 1967.

9.   Батырев А.С, Бисенгалиев Р.А., Новиков Б.В., Сумьянова Е.В., Люминесценция кристаллов CdS, обусловленная приповерхностными флуктуациями потенциала, Опт. и спектр.,  2013, т.114, № 2, с. 248-252; DOI: 10.7868/S0030403413020050

10.   Батырев А.С, Бисенгалиев Р.А., Новиков Б.В., Сумьянова Е.В., Стабилизация спайка в спектрах экситонного отражения света кристаллов CdSe, подвергнутых облучению низкоэнергетическими электронами, Опт. и спектр., 2013, т.114, № 3, с. 428-431; DOI:10.7868/S0030403413030069

11.   Батырев А.С, Бисенгалиев Р.А., Новиков Б.В., «Аномальный» спектральный фоторезистивныи эффект поля в кристаллах CdS, обусловленный экранированием электрон-дырочного взаимодействия, ФТТ, 2013, т.55, вып. 4, с. 639-644; DOI:10.1134/S1063783413040021

12.   Батырев А.С, Бисенгалиев Р.А., Новиков Б.В., Эффект поверхностного рассеяния носителей в спектрах фотопроводимости CdS^Tn, 2013, т.47, вып. 5, с. 604-607; DOI:10.1134/S1063782613050059

13.   Батырев А.С, Бисенгалиев Р.А., Лиджиев Б.С, Сумьянова Е.В., Индуцированная термической обработкой «примесная» краевая фотопроводимость кристаллов CdS   ЖТФ, 2013, т.83, вып. 9, с. 15-19; DOI:10.1134/S1063784213090089

14.   Батырев А.С, Бисенгалиев Р.А., Новиков Б.В., Тагиров М.О., Формирование экситонной структуры в спектрах фотопроводимости кристаллов CdSnpn модулированном возбуждении ФТП, 2013, т.47, вып. 9, с. 1165-1168; DOI:10.1134/S10637826113090042

15.   Батырев А.С,  Бисенгалиев Р.А., Новиков Б.В., Н Шивидов.К., Эффекты поверхностного прилипания неравновесных носителей в спектрах фотопроводимости кристаллов CdSЖTФ, 2013, т.83, вып. 9, с.20-23; DOI:10.1134/S1063784213090090

 

Спектры фотопроводимости твердых растоворов CdS/CdSe

Влияние термообработки на фотоотражение кристаллов CdS в области экситонного резонанса

УЧАСТИЕ ЭКСИТОНОВ В ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ЯВЛЕНИЯХ. ТОНКАЯ СТРУКТУРА СПЕКТРОВ ФОТОТОКА

ВЛИЯНИЕ ГЕОМЕТРИИ КОНТАКТОВ НА СПЕКТРАЛЬНОЕ РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ФОТОПРОВОДИМОСТИ В КРИСТАЛЛАХ CdSe

«Примесные» эффекты в спектрах фототока CdS в области экситонных переходов

Исследование широкой полосы фотопроводимости кристаллов CdS в желтой области спектра

ВЛИЯНИЕ МОДУЛЯЦИИ ВОЗБУЖДЕНИЯ НА ТОНКУЮ (ЭКСИТОННУЮ) СТРУКТУРУ СПЕКТРОВ ФОТОПРОВОДИМОСТИ CdS

ПРОЯВЛЕНИЕ ЭФФЕКТА ПОВЕРХНОСТНОГО «ПРИЛИПАНИЯ» НОСИТЕЛЕЙ В СПЕКТРАХ ФОТОТОКА CdS

Исследование природы полосы оранжевой люминесценции в спектрах излучения кристалла CdS

Кинетика фотопроводимости кристаллов CdS в области края фундаментального поглощения

Форма входа
Поиск
Календарь
«  Апрель 2018  »
ПнВтСрЧтПтСбВс
      1
2345678
9101112131415
16171819202122
23242526272829
30
Архив записей
Друзья сайта

Rambler's Top100 Яндекс.Метрика Индекс цитирования