С использованием метода эффекта поля экспериментально исследована роль приповерхностного электри­ческого поля в формировании низкотемпературных (Т = 77 К) спектров фотопроводимости (ФП) кристаллов CdS в области экситонных и межзонных переходов. Выполнены численные расчеты спектров ФП полупро­водника в модели, учитывающей зависимость темпа поверхностной рекомбинации неравновесных носителей заряда от электрического поля на его поверхности. Показана определяющая роль приповерхностного электрического поля в формировании тонкой структуры спектров, обусловленной экситонами. Установлена связь между ее типом и характером приповерхностного изгиба энергетических зон. Продемонстрирована принципиальная возможность оценки поверхностного электрического поля по форме спектральной кривой низкотемпературной ФП полупроводника.