Исследованы изменения низкотемпературных спектров фотопроводимости (ФП) кристаллов CdS под вли­янием внешних воздействий. Продемонстрирована высокая чувствительность тонкой (экситонной) структуры (ТС) спектров к изменениям условий рекомбинации неравновесных носителей вблизи поверхности и в объеме полупроводника.