Werden p-leitendes und n-leitendes Germanium miteinander verschweißt, so entsteht an der Berührungsstelle eine Grenzschicht, in der ein sehr beschränkter Ladungsträgeraustausch stattfindet. Diese Grenzschicht ist eine dünne, besonders ladungsträgerarme Schicht. Legt man eine Spannung an die Enden der Diode, so tritt ein Ladungstransport ein. Je nachdem, welcher Pol am n-Gebiet der Diode liegt, unterscheidet man zwei Vorgänge.