Вторник, 25.01.2022, 06:00 Вы вошли как Гость | Группа "Гости"
Главная | Каталог статей | Мой профиль | Выход | RSS

Факультет Математики, Физики и ИТ КалмГУ
Лаборатория Кормильцева И.В. 
_________________________________ 


Меню сайта
Категории раздела
Статистика

Онлайн всего: 1
Гостей: 1
Пользователей: 0
Главная » Статьи » Мои статьи

Спектральный фоторезистивный эффект поля в кристаллах CdS при низких температурах

С использованием метода эффекта поля экспериментально исследована роль приповерхностного электри­ческого поля в формировании низкотемпературных (Т = 77 К) спектров фотопроводимости (ФП) кристаллов CdS в области экситонных и межзонных переходов. Выполнены численные расчеты спектров ФП полупро­водника в модели, учитывающей зависимость темпа поверхностной рекомбинации неравновесных носителей заряда от электрического поля на его поверхности. Показана определяющая роль приповерхностного электрического поля в формировании тонкой структуры спектров, обусловленной экситонами. Установлена связь между ее типом и характером приповерхностного изгиба энергетических зон. Продемонстрирована принципиальная возможность оценки поверхностного электрического поля по форме спектральной кривой низкотемпературной ФП полупроводника.



Источник: http://fmif.ru/Load/statji/spektralnyj_fotorezistivnyj_ehffekt_polja_v_krista.doc
Категория: Мои статьи | Добавил: berkut008 (29.11.2021)
Просмотров: 33 | Рейтинг: 0.0/0
Всего комментариев: 0
Форма входа
Поиск
Друзья сайта

Rambler's Top100 Яндекс.Метрика Индекс цитирования