Широкозонные полупроводниковые соединения А²В⁶ относятся к оптимальным материалам для создания эффективных фотопреобразователей в ультрафиолетовой, видимой и дальней инфракрасной областях спектра, инжекционных лазеров и светодиодов. Однако эти соединения (кроме CdTe) обладают монополярной проводимостью, поэтому получить р-n-переходы в них затруднительно. Естественным разрешением этого вопроса является создание гетеропереходов с использованием комбинаций различных соединений (например, соединений А³В⁵)