Одним из актуальных направлений твердотельной электроники, микро- и наноэлектроники является создание полупроводниковых гетероструктур – контактов двух различных по химическому составу и свойствам полупроводников. Научный интерес к этим объектам обусловлен, с одной стороны, их нетривиальными физическими свойствами, связанными со сложной упорядоченной структурой и взаимодействием на границе раздела, а с другой - перспективами использования для создания эффективных фотопреобразователей в ультрафиолетовой, видимой  и дальней  инфракрасной областях спектра,  инжекционных    лазеров и     светодиодов